Новости

Российский научный фонд подвел итоги конкурса на получение грантов по мероприятиям «Проведение ориентированных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» и «Проведение прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив Президента РФ в научно-технологической сфере» по направлению «Микроэлектроника».

Среди десяти победителей — проект Института физики полупроводников им. А.В Ржанова СО РАН «Разработка технологического процесса формирования эпитаксиальных слоев германия для pin диодов (фотодетекторов) на длину волны 1,31 мкм, сопряженных с кремниевой волноводной структурой».