Новости

20.05.2023
Председатель СО РАН отметил достижения ученых Института физики полупроводников

На общем собрании Сибирского отделения РАН, его председатель академик Валентин Николаевич Пармон перечислил важнейшие результаты сибирских ученых, направленные на восстановление технологического суверенитета по приоритетам научно-технологического развития России. Среди этих достижений — создание нового источника спин-поляризованных электронов на основе мультищелочных фотокатодов.

Работа выполнена специалистами Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) в коллаборации с коллегами из Института физики прочности и материаловедения СО РАН (ИФПМ СО РАН), Центра коллективного пользования «Сибирский кольцевой источник фотонов», ЗАО «Экран-ФЭП», Новосибирского государственного университета, Томского государственного университета.

«Больше всего задач по достижению технологического суверенитета было выполнено нашими организациями математического, физического и физико-технического профиля. Это в том числе работы по источникам поляризованных по спину электронов», — сказал академик Валентин Пармон.