Новости

Исследования  энергонезависимой резистивной памяти велись международными коллективами специалистов из Института физики полупроводников им. А В. Ржанова СО РАН, Института катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирского государственного университета, Новосибирского государственного технического университета и Национального университета Чао Тунг (Тайвань).
Резистивная память RRAM (Resistive Random Access Memory) призвана, во-первых, заменить действующую флеш-память, а во-вторых, может использоваться в нейроморфных системах в качестве искусственного интеллекта. Среднее число переключений флэш-памяти — то есть количество перезаписей информации — порядка десяти тысяч, для RRAM этот показатель в сто миллионов раз больше, быстродействие же выше в десять миллионов раз.