Новости

07.12.2023
Селенид висмута, выращенный на графене, перспективен для применения в гибкой электронике

Ученые ИФП СО РАН обнаружили новые свойства тонких пленок селенида висмута, проводя исследования в рамках крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники». В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) при поддержке Российского научного фонда прошла Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем».

Молодые учёные, аспиранты и студенты прослушали курс из тринадцати лекций, касающихся разных методов исследования, создания и измерения нанообъектов, перспективных для разработки электроники будущего, установления фундаментальных закономерностей функционирования наносистем. Лекторами Школы выступили ведущие ученые ИФП СО РАН, Новосибирского государственного университета и Университета г. Авейро (Португалия). Ведущий научный сотрудник ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Ирина Вениаминовна Антонова рассказала о создании многослойных наноструктур на основе селенида висмута (Bi2Se3) и графена.