Новости СО РАН

В постановлении президиума СО РАН № 147 от 25.04.2024, в частности, сказано:
рекомендовать кандидатуру члена-корреспондента РАН Клишина Владимира Ивановича на должность научного руководителя ФИЦ УУХ СО РАН.

Специалисты отмечают уникальность геологического строения баженовской свиты и её высокий потенциал в качестве нефтяного резервуара. Согласно оценкам, выполненным ранее в Институте нефтегазовой геологии и геофизики им. А.А. Трофимука СО РАН под руководством академика А.Э. Конторовича, в баженовских породах сосредоточено порядка 10–12 млрд тонн извлекаемых ресурсов нефти.

Чтобы более точно прогнозировать перспективы нефтеносности этих отложений, в ИНГГ СО РАН изучают локальные особенности седиментогенеза и дальнейшие преобразования этих пород, определяющие их литологический состав и коллекторские свойства. Интересных результатов добились сотрудники лаборатории проблем геологии, разведки и разработки месторождений трудноизвлекаемой нефти при участии специалистов лаборатории седиментологии.

24 апреля 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН отметил 60-летие.

Институт известен во всем мире, как одна из ведущих организаций в области исследования поверхностных свойств тонких кристаллических пленок, полупроводниковых материалов, их границ раздела и создания новых полупроводниковых приборов. Тонкие полупроводниковые пленки и явления, возникающие на границе раздела полупроводников, лежат в основе современных цифровых приборов. Когда создавался институт в 1960-е годы, отношение к полупроводникам было не слишком серьёзным, никто не ожидал, что именно они определят развитие эры цифровых технологий. Однако первый директор ИФП СО РАН академик Анатолий Васильевич Ржанов сразу сформулировал направления работы Института. В их числе было и сотрудничество с предприятиями, и уже в 1970-х годах появились плоды этого взаимодействия и, в частности, разработка, открывающая этот список.

1. Первые «флешки». Конечно, тогда они выглядели иначе, чем современная флеш-память. В  ИФП СО РАН вместе с Институтом неорганической химии СО АН, НПО «Восток» были сделаны многоэлементные полупроводниковые элементы памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник, производством которых занималось новосибирское предприятие НПО «Восток».
2. Оборудование собственного производства для роста тонких полупроводниковых пленок ― установки молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Сегодня ученые Института в числе мировых лидеров в области владения технологией МЛЭ — одной из лучших для создания новых полупроводниковых материалов. Тогда же (в 1970-х) годах Институт начал разработку установок молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющих выращивать кристаллические тонкие пленки с атомарной точностью. Такого оборудования не было в нашей стране, но уже в 1988 г. Институт представил не только научные, но и промышленные образцы установок, в том числе и на экспорт.
3. Прецизионные диагностические приборы: эллипсометры и развитие метода эллипсометрии — неразрушающего контроля состава и толщины тонких полупроводниковых пленок во время их роста. Метод эллипсометрии используется во всем мире для быстрого и точного контроля качества тонких полупроводниковых пленок во время их роста. Благодаря развитию методики, существованию научной школы в области эллипсометрии и разработанной приборной базе, ИФП СО РАН пользуется собственными эллипсометрами.
4. Открытие эффекта эшелонирования атомных ступеней на поверхности кремния под воздействием постоянного электрического тока (1989 год). В результате открытия эффекта стало возможным изготовление эталонных мер для измерений в наномасштабе ― «нанолинейки» на диапазон от сотых долей нанометра до десятков нанометров. Поверхность кристалла не идеально ровная, она включает атомно-гладкие поверхности, разделенные ступенями, высотой в один атом. Воздействуя на кристалл кремния постоянным током, можно «разогнать» ступени — и увеличить площадь гладкой поверхности или собрать нужное количество ступеней в более плотную «лестницу» — эшелон ступеней и, соответственно, точно определить его высоту.
5. Появление принц-технологии ― способа создания трехмерных наноструктур, основанного на отделении тонких напряженных полупроводниковых пленок от подложки. Так можно получить полупроводниковые нанотрубки диаметром до 2 нм, которые, могут быть сформированы в определённых местах на подложке и с заданными диаметрами с помощью литографии. Новый способ создания наноструктур совместим с кремниевой технологией изготовления интегральных схем. С помощью принц-технологии можно изготавливать наносенсоры, наноиглы для биомедицинских применений, чипы и другие наноприборы.
6. Элементная база для квантовых коммуникаций. Недавно специалисты института создали однофотонный излучатель и детектор для систем защищённой квантовой связи. Излучатель, в основе которого лежат тысячи полупроводниковых слоев атомарной толщины, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоев, испускает лишь один фотон за определенный интервал времени. А детектор, улавливающий это квант света, представляет собой лавинный фотодиод, работающий в гейгеровском режиме счета. Обычно детекторы одиночных фотонов требуют охлаждения до криогенных температур, а лавинный фотодиод, разработанный ИФП СО РАН, охлаждается с помощь миниатюрного элементах Пельтье при комнатной температуре.

Очередное заседание Всероссийского семинара «Проблемы дистанционного зондирования Земли из космоса» состоится в четверг 25 апреля 2024 в ИВМиМГ СО РАН, в 11:00 АМ (Москва). Докладчик Лупян Евгений Аркадьевич, д.т.н., зав. отделом "Технологий спутникового мониторинга" ИКИ РАН, руководитель работ ИКИ РАН в области дистанционного исследования Земли из космоса.

Тема: Возможности использования информации об интенсивности горения, получаемой на основе спутниковых данных, для оценки различных характеристик природных пожаров.

Информация для подключения к трансляции:
https://us02web.zoom.us/j/83353182914?pwd=cVJGV2ZWZ0xoMitTLzVRdW9VZ0U2QT09
Идентификатор конференции: 833 5318 2914
Код доступа: 336903

В четверг 25 апреля 2024 г. в ИСИ СО РАН пройдет Объединенный семинар "Интеллектуальные системы" и "Системное программирование" ИСИ СО РАН и кафедры программирования НГУ (Руководители: д.ф.-м.н. Марчук А.Г., к.т.н. Загорулько Ю.А., к.ф.-м.н. Бульонков М.А.). Начало в 10:00. Место проведения: к. 254 ИСИ СО РАН.

Докладчик: Ларин Михаил Иванович
Тема: На пути к искусственному интеллекту. Строим нейронную сеть

Чтобы принять участие в семинаре, необходимо перейти по ссылке

Институт физики полупроводников СО АН СССР был создан в 1964 году на основе объединения Института радиофизики и электроники СО АН СССР и Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР. У истоков создания ИФП стоял академик Анатолий Васильевич Ржанов, который был бессменным директором института с 1964 по 1990 год.

24 апреля 2024 г.  в 14.00 состоится Торжественное заседание Ученого совета Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. 

Мероприятие пройдёт в конференц-зале ИФП СО РАН по адресу: Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13.

Владимир Путин: Сегодня мы видим, что БАМ во многом определяет глобальную логистику на весь XXI век. Наша страна получила колоссальные возможности для освоения и развития Сибири, Дальнего Востока, для расширения грузоперевозок по направлению к Тихому океану. Прямо можно сказать, что разворот на Восток на текущем этапе стал возможен именно благодаря Байкало-Амурской магистрали.<>
Искренне рад лично поздравить с полувековым юбилеем начала строительства БАМа Президента Азербайджана Ильхама Гейдаровича Алиева. Его отец, – всем строителям БАМа это хорошо известно, – Гейдар Алиевич, сыграл особую, огромную роль в истории БАМа. В качестве Первого заместителя Председателя Совета министров СССР Гейдар Алиевич курировал строительство Байкало-Амурской магистрали и сделал всё возможное, чтобы этот сложнейший проект состоялся.

Ильхам Алиев: Что касается транспортного коридора «Север – Юг», сегодня мы с Владимиром Владимировичем подробно ещё раз обсудили этот вопрос. Соответствующие инструкции даны членам Правительства.
 

23 апреля 2024 г. в 11:00, в Институте молекулярной и клеточной биологии СО РАН, пройдет Открытое заседание Ученого совета посвящено созданию новой молодежной Лаборатории моделирования патологий человека. Лаборатория будет создана в рамках национального проекта “Наука и университеты”.
Место проведения: Конференц-зал ИМКБ СО РАН (Новосибирск, проспект Академика Лаврентьева, д. 8/2).

Из статьи «Время сосредоточения» главного редактора журнала «ЭКО», академика Валерия Крюкова:  «Мы исходим из того, что ресурсный сектор (и особенно нефтегазовый комплекс, как его ведущая и определяющая часть) – это ни в коем случае не проклятье и не признак отсталости, а историческое, культурное и научно-технологическое достояние России. <>
Нам необходимы не только национальные проекты, ориентированные на выпуск линеек нового отечественного оборудования, материалов, программных продуктов и проч., но и эффективная система взаимодействия государства и бизнеса на всех этапах использования национального достояния – природных ресурсов. То, что мы сейчас наблюдаем в данной области, во многом имеет все еще  весьма  предварительный  характер.  Мобилизационный  этап  научно-технологического развития предполагает скорейший переход к реальным и  эффективным  практикам  взаимодействия  всех  участников  реализации проектов в ресурсном секторе экономики – как нефтегазовых, так и связанных с интенсивным и изучением, освоением и использованием потенциала и нашей территории, и наших недр.